温州医科大学专职科研教师(学术带头人)，副研究员，主要从事生物医用高分子半导体材料与康复功能电子器件研究，包括高性能可拉伸高分子半导体材料的设计与开发、智能细胞生长因子生物传感与递送系统研制、脑机接口康复功能电子器件制备等前沿应用研究，目前以独立一作或共同一作在Nature Nanotechnology（封面文章）、Nature Materials、Advanced Functional Materials 以及ACS Applied Materials & Interfaces等国际权威期刊上累计发表 SCI 论文共12篇，申请与授权国家发明专利6项，主持科研基金2项。
主持科研项目：
1. 中国博士后科学基金会，第72批中国博士后科学基金面上资助，2022M723102，2022-01至2024-12，8万元，结题，主持
2. 中国科学院大学，中央高校基本科研业务费专项资金资助，E2E40305X2，2022-07至2024-12，15万元，结题，主持
所获成果：（包括科研成果奖、专利、专著等）
1. 项兰义，张凤娇，刘力瑶，狄重安，一种离子注入掺杂方法与器件，申请号：2023115849161。
2. 狄重安，项兰义，金文龙，申弘光，朱道本，一种超低能离子注入方法，专利号：ZL202010214723.7。
3. 狄重安，金文龙，项兰义，朱道本，一种有机半导体材料帕尔贴效应测试方法，申请号： CPCN20110014。
4. 张凤娇，姜紫灵，项兰义，基于药物分子构建的生物传感器及其制备方法与应用，申请号：2022103488774.4。
5. 张凤娇，张博雅，项兰义，一种有机电子器件及其制备方法，申请号：202311578183.0。
6. 张凤娇，姜紫灵，刘力瑶，李志毅，张博雅，项兰义，狄重安，一种用于多类型传感器件的测试装置、方法及系统，申请号：202311105061X。
代表性文章：
1. Lanyi Xiang, Zihan He, Chaoyi Yan, Yao Zhao, Zhiyi Li, Lingxuan Jia, Ziling Jiang, Xiaojuan Dai, Vincent Lemaur, Yingqiao Ma, Liyao Liu, Qing Meng, Ye Zou, David Beljonne, Fengjiao Zhang*, Deqing Zhang, Chong-an Di* & Daoben Zhu, Nanoscale Doping of Polymeric Semiconductors with Confined Electrochemical Ion Implantation, Nature Nanotechnology, 2024, 19, 1122. (IF= 38.1，封面文章)
2. Ziling Jiang#, Dekai Ye#, Lanyi Xiang#, Zihan He, Xiaojuan Dai, Junfang Yang, Qi Xiong, Yingqiao Ma, Danfeng Zhi, Ye Zou, Qian Peng, Shu Wang, Jia Li*, Fengjiao Zhang*, Chong-an Di*, A Drug-mediated organic Electrochemical Transistor for Robustly Reusable Biosensor, Nature Materials, 2024, 23, 1547. (IF= 37.2)
3. Lanyi Xiang, Liyao Liu, Fengjiao Zhang*, Chong-an Di*, Daoben Zhu, Ion-gating Engineering of Organic Semiconductors towards Multifunctional Devices, Advanced Functional Materials. 2021, 31, 2102149. (IF= 18.5)
4. Boya Zhang#, Lanyi Xiang#, Chaoyi Yan, Ziling Jiang, Haozhen Zhao, Chenyang Li, and Fengjiao Zhang*, Morphology-Controlled Ion Transport in Mixed-Orientation Polymers, ACS Applied Materials and Interfaces, 2024, 16, 32456. (IF= 8.3)
5. Lanyi Xiang, Jun Ying, Wei Wang* and Wenfa Xie, High Mobility n-Channel Organic Field-Effect Transistor Based a Tetratetracontane Interfacial Layer on Gate Dielectrics, IEEE Electron Device Letters, 2016, 37, 1632-1635. (IF= 4.1)
